RAM 是Random Accessmemory（隨機存取存儲器）的簡稱，存儲單元的內容可按照需要隨機取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無關。這種存儲器在斷電時，將丟失其存儲內容，通常作為操作系統或其他正在運行中的程序的臨時數據存儲媒介，因此在計算機和手機中一般把其叫做（運行）內存。RAM，可分為SRAM (靜態隨機存儲器)和DRAM (動態隨機存儲器），DDR則屬于DRAM。以下是SRAM和DRAM之間的區別。

一、工作原理

SRAM：SRAM（Static Random Access Memory，靜態隨機存儲器）是一種基于觸發器的存儲器，使用穩定的存儲電路來存儲和保持數據。每個存儲單元由一個存儲器單元和控制電路組成，其中存儲器單元由多個觸發器構成，能夠存儲比特數據。由于采用了觸發器結構，SRAM在不斷刷新的過程中保持數據的穩定性。

DRAM：DRAM（Dynamic Random Access Memory，動態隨機器）是一種基于電容的存儲器，使用電容來存儲和表示數據。每個存儲單元由一個電容和一個訪問晶體管組成。電容在存儲器中充電或放電來表示數據的0和1。由于電容會逐漸漏電，DRAM需要定期刷新以保持數據的正確性。

二、存儲密度

SRAM：由于SRAM采用了穩定的存儲電路，每個存儲單元需要更多的晶體管來實現，因此SRAM的存儲密度相對較低。每個存儲單元通常需要6個晶體管。

DRAM：由于DRAM采用了電容存儲結構，每個存儲單元只需要一個電容和一個訪問晶體管，因此DRAM的存儲密度較高。每個存儲單元通常只需要1個晶體管和1個電容。

三、刷新需求

SRAM：由于SRAM的存儲單元采用穩定的觸發器結構，不需要進行定期刷新操作。數據可以一直保持穩定，無需周期性刷新。

DRAM：由于DRAM的電容逐漸漏電，數據需要定期刷新以保持其正確性。DRAM需要通過刷新操作周期性地重新寫入數據，否則數據會丟失。

四、訪問速度

SRAM：SRAM的訪問速度非常快，因為數據存儲在觸發器中，可以立即讀取和寫入。SRAM具有較低的訪問延遲和高速的讀寫性能。

DRAM：DRAM的訪問速度相對較慢，因為數據存儲在電容中，需要經過訪問晶體管的操作。DRAM具有較高的訪問延遲和相對較慢的讀寫性能。

SDRAM是同步DRAM的意思，“同步”是指內存工作需要同步時鐘，內部命令的發送與數據的傳輸都以它為基準。內存頻率與CPU外頻同步，大幅提升了數據傳輸效率。

SDRAM從發展到現在已經經歷了四代，分別是: 第一代SDR SDRAM，第二代DDR SDRAM，第三代DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAM，現在已經發展到DDR5 SDRAM。

DDR SDRAM是Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory(雙倍速率同步動態隨機存儲器)的簡稱，是由VIA等公司為了與RDRAM相抗衡而提出的內存標準為第二代SDRAM標準。

DDR2(Double Data Rate 2)SDRAM是由JEDEC(電子設備工程聯合委員會)開發的第三代SDRAM內存技術標準，1.8v工作電壓，240線接口，提供了相較于DDR SDRAM更高的運行效能與更低的電壓，同樣采用在時鐘的上升/下降同時進行數據傳輸的基本方式，但擁有兩倍于上一代DDR內存預讀取能力(即4bit數據讀預取能力)。

DDR3 SDRAM相比起DDR2具備更低的工作電壓(1.5v)，240線接口，支持8bit預讀，只需133MHz的工作頻率便可實現1066MHz的總線頻率。

DDR4相比DDR3最大的區別有三點: 16bit預取機制(DDR3為8bit) ；同樣內核頻率下理論速度是DDR3的兩倍；更可靠的傳輸規范，數據可靠性進一步提升，工作電壓降為1.2V，更節能。

DDR5相比DDR4，基礎頻率更高，起步可達到4800MHz，DDR4起步一般是2133MHz或2400MHz，旗艦級DDR4內存可達到4266MHz，隨著頻率的提升，帶寬也隨之更高；工作電壓降為1.1V，能耗比更優；接口不同，為了單條內存實現雙通道，DDR5內存插槽防呆接口變到了居中位置。

從DDR到DDR5主要的區別是在于傳輸速率的不同，隨著時鐘周期的不斷降低，傳輸率也不斷提高，電壓也越來越低。

DDR在消費型電子與網絡通訊等領域、工業控制領域均得到廣泛的應用，例家用電器（液晶電視、數字機頂盒、播放機）、機器人、工業自動化等應用。