閃存芯片上的閃存顆粒質優與否，關系到閃存芯片的讀取速度、容量、壽命以及價格等結果。閃存顆粒是存儲原料，閃存顆粒可以說是閃存芯片的核心。存儲芯片所使用的閃存顆粒類型、等級、品牌均影響著產品的性能、特性、品質，以下我們從閃存顆粒類型了解閃存芯片的核心—數據“倉庫”。

采用閃存顆粒來進行存儲是閃存芯片的主要特點，可以說閃存顆粒就像倉庫，用來存放大量數據。根據密度差異閃存顆粒會主要分為SLC、MLC、TLC、QLC、PLC（未面世）五種類型：

SLC（全稱：Single-Level Cell）

又稱為單層式儲存 ，即每單元存儲1bit信息（1bit/cell）。一個蘿卜一個坑的存儲容量，這也意味著采用SLC顆粒的閃存芯片容量注定不會太大，但除了這個“缺憾”之外，SLC的其他方面則要更加優于其他類型的閃存顆粒。

SLC的擦寫壽命是5種顆粒中最長的，能夠達到約10萬次。另外SLC也是五種顆粒類型中讀寫速度最快、讀寫數據最精確、質量最好同時造價也是最貴的顆粒。

MLC（全稱：Multi-Level Cell）

又稱為雙層式儲存 ，即每單元存儲2bit信息（2bit/cell）。存儲容量比SLC大，成本相對于SLC大大降低。

但MLC的擦寫壽命要比SLC差不少，僅能夠達到約1萬次。且相較于SLC，MLC的讀寫速度、質量、精確度次于SLC，成本相對高于除SLC以外的其他顆粒，目前多用于工業存儲中。

TLC（全稱：Trinary-Level Cell）

又稱為三層式儲存 ，即每單元存儲3bit信息（3bit/cell）。到此可以看出這五種閃存顆粒每單元可存儲的信息是層層遞進的，都是在上一個的基礎上+1bit信息，容量越來越大。

TLC是目前最常見到的閃存顆粒，應用非常廣泛，其擦寫壽命能夠達到約1000次。雖然在數據上，TLC的讀寫速度、顆粒質量以及壽命都不及SLC和MLC，但其成本低得多，如果作為日常使用其實能完全滿足普通消費者的需求。目前TLC多用于市面上的固態硬盤中。

QLC（全稱：Quad-Level Cell）

又稱為四層式儲存 ，即每單元存儲4bit信息（4bit/cell）。其擦寫壽命相對較短，僅能夠達到150次，但存儲密度最大、成本也最低，優勢還是很明顯的。目前主要應用于大容量的固態硬盤。

PLC（全稱：Penta-level cell）

又稱為五層式儲存，即每單元存儲5bit信息（5bit/cell）。該閃存顆粒目前還沒有正式產品發布，但有希望在未來的幾年內問世，相信能夠為SSD產品帶來更大的存儲空間和單元存儲更低的成本。不過PLC的推廣將很大受限于它的速度和壽命，還需進一步了解。

根據上述內容可將閃存顆粒按照數據穩定性、速度以及價格排序為SLC＞MLC＞TLC＞QLC＞PLC，容量則相反SLC＜MLC＜TLC＜QLC＜PLC。固態硬盤品牌多數使用的是TLC閃存顆粒，雖然速度和壽命上不及使用SLC和MLC顆粒的固態硬盤，但搭配上優秀的主控以及高速接口，運用了3D NAND技術的3D TLC顆粒實現了性能躍進。