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with DRAM——搭載3D TLC NAND和DRAM
采用SMI先進主控方案,支持PCIe Gen 4x4總線接口 ,符合NVMe 1.4規范
12nm FinFET制程工藝,有效降低功耗和發熱,保持性能穩定
自主研發的LDPC糾錯算法,支持端到端數據保護,保證數據高可靠性
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接口
全部
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協議標準
全部
NVMe 1.3
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NAND閃存類型
全部
3D TLC
尺寸(mm)
全部
22.0x80.0x2.23
22.0x80.0x3.58
連續順序讀取速度(MB/s)
全部
3,450
3,500
4,550
5,000
7,100
7,200
7,400
連續順序寫入速度(MB/s)
全部
1,250
2,450
2,700
2,600
3,000
3,700
4,500
6,500
6,500
4K隨機讀取(IOPS)
全部
120K
195K
220K
350K
370K
460K
640K
900K
4K隨機寫入(IOPS)
全部
230K
250K
340K
380K
390K
520K
720K
895K
900K
995K
1,100K
總寫入字節數(TBW)
全部
160TB
300TB
600TB
1200TB
當前數據為從第1到第10條數據;總共有
0
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