隨著大數(shù)據(jù)、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等新興技術(shù)的發(fā)展，閃存技術(shù)相對(duì)于許多計(jì)算機(jī)技術(shù)而言發(fā)展得更迅猛。就Flash閃存而言，按功能特性分為兩種：一種是Nor Flash，通常容量較小，主要用于存儲(chǔ)代碼；另一種為Nand Flash，容量較大，主要用于存儲(chǔ)資料，如數(shù)碼相機(jī)中所用的記憶卡。NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。

（1）Nand Flash存儲(chǔ)器簡(jiǎn)介

1989年，東芝公司發(fā)表了Nand Flash結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盤一樣可以通過(guò)接口輕松升級(jí)。Nand Flash沒(méi)有采取內(nèi)存的隨機(jī)讀取技術(shù)，它的讀取是以一次讀取一塊的形式來(lái)進(jìn)行的，通常是一次讀取512個(gè)字節(jié)，同時(shí)內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。

Nand flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而應(yīng)用越來(lái)越廣泛，如嵌入式產(chǎn)品中包括手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、U盤等。

（2）Nor Flash存儲(chǔ)器簡(jiǎn)介

Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出Nor Flash技術(shù)，Nor Flash 的特點(diǎn)是芯片內(nèi)執(zhí)行（XIP, eXecute In Place），其讀取和我們常見(jiàn)的 SDRAM 的隨機(jī)讀取形式類似，用戶可以直接運(yùn)行裝載在 Nor Flash 里面的代碼，這樣可以減少 SRAM 的容量從而節(jié)約成本。因?yàn)槠渥x取速度快，不易出錯(cuò)，多用來(lái)存儲(chǔ)程序、操作系統(tǒng)等重要信息。

（1）啟動(dòng)方式不同

 開(kāi)發(fā)板上電啟動(dòng)時(shí)，Nor Flash在啟動(dòng)時(shí)直接從0地址開(kāi)始運(yùn)行，CPU從Nor Flash的0地址開(kāi)始執(zhí)行程序。

Nand Flash會(huì)先把Nand Flash中前4K內(nèi)容自動(dòng)拷貝到片內(nèi)內(nèi)存（SRAM）中去，然后CPU從SRAM的0地址開(kāi)始執(zhí)行程序。用戶不能直接運(yùn)行Nand Flash上的代碼，因此多數(shù)使用Nand Flash的開(kāi)發(fā)板除了使用Nand Flash以外，還用上了一塊小的Nor Flash來(lái)運(yùn)行啟動(dòng)代碼。

（2）接口差別

Nand Flash是I/O串行接口，通過(guò)8個(gè)引腳用來(lái)傳送控制、地址和數(shù)據(jù)信息，各個(gè)產(chǎn)品或廠商的方法可能各不相同。讀和寫操作采用512字節(jié)的塊，這一點(diǎn)有點(diǎn)像硬盤管理此類操作，所以基于NAND的存儲(chǔ)器就可以取代硬盤或其他塊設(shè)備。

Nor Flash帶有SRAM接口，可以輕松地掛接在CPU的地址、數(shù)據(jù)總線上，對(duì)CPU的接口要求低；有足夠的地址引腳來(lái)尋址，可以很容易地存取其內(nèi)部的每一個(gè)字節(jié)。但不同容量的NorFlash的地址線需求不一樣，Nor Flash芯片容量升級(jí)不便。

（3）Nand Flash和Nor Flash的性能比較

Nand Flash和Nor Flash均為非易失存儲(chǔ)器，可以對(duì)稱為塊的存儲(chǔ)器單元塊進(jìn)行擦寫和再編程。寫入操作只能在空或已擦除的單元內(nèi)進(jìn)行，所以大多數(shù)寫入操作需要先進(jìn)行擦除操作。但在性能上有以下差別：

1、讀取數(shù)據(jù)時(shí)，Nand Flash 首先需要進(jìn)行多次地址尋址，然后才能訪問(wèn)數(shù)據(jù)；而 Nor Flash是直接進(jìn)行數(shù)據(jù)讀取訪問(wèn)，因此NOR的讀速度比NAND稍快一些。

2、NAND器件執(zhí)行擦除操作簡(jiǎn)單，而NOR則要求在進(jìn)行擦除前先要將目標(biāo)塊內(nèi)所有的位都寫為0。同時(shí)，NAND的擦除單元更小，相應(yīng)的擦除電路更少，因此NAND的擦除速度遠(yuǎn)比NOR的快很多。

3、NAND寫入單元小，寫入速度比NOR快很多。

（4）容量和成本對(duì)比

Nand Flash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半，由于生產(chǎn)過(guò)程更為簡(jiǎn)單，NAND結(jié)構(gòu)可以在給定的模具尺寸內(nèi)提供更高的容量，因此相同容量下，NAND器件的成本比NOR低。

（5）能耗不同

NOR閃存在初始上電期間通常需要比NAND閃存更多的電流。但是，Nor Flash的待機(jī)電流遠(yuǎn)低于Nand Flash。兩者的瞬時(shí)有功功率相當(dāng)，因此，有效功率由存儲(chǔ)器活動(dòng)的持續(xù)時(shí)間決定。Nor Flash在隨機(jī)讀取方面具有優(yōu)勢(shì)，而Nand Flash在擦除、寫入和順序讀取操作中消耗的功率相對(duì)較低。

（6）Nand Flash和Nor Flash的壽命(耐用性)

在NAND閃存中每個(gè)塊的最大擦寫次數(shù)是一百萬(wàn)次，而NOR的擦寫次數(shù)是十萬(wàn)次。NAND存儲(chǔ)器除了具有10比1的塊擦除周期優(yōu)勢(shì)，典型的NAND塊尺寸要比NOR器件小8倍，每個(gè)NAND存儲(chǔ)器塊在給定的時(shí)間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些，nand器件的耐用性強(qiáng)于nor。

（7）可靠性對(duì)比

在Flash的位翻轉(zhuǎn)（一個(gè)bit位發(fā)生翻轉(zhuǎn)）現(xiàn)象上，NAND的出現(xiàn)幾率要比Nor Flash大得多。這個(gè)問(wèn)題在Flash存儲(chǔ)關(guān)鍵文件時(shí)是致命的，所以在使用Nand Flash時(shí)建議同時(shí)使用EDC/ECC等校驗(yàn)算法，提高可靠性。

NAND器件中的壞塊是隨機(jī)分布的，需要對(duì)介質(zhì)進(jìn)行初始化掃描以發(fā)現(xiàn)壞塊，并將壞塊標(biāo)記為不可用。在已制成的器件中，如果通過(guò)可靠的方法不能進(jìn)行這項(xiàng)處理，將導(dǎo)致高故障率。而壞塊問(wèn)題在Nor Flash上是不存在的。

（8）軟件支持

當(dāng)討論軟件支持的時(shí)候，應(yīng)該區(qū)別基本的讀/寫/擦操作和高一級(jí)的用于磁盤仿真和閃存管理算法的軟件，包括性能優(yōu)化。

在NOR器件上運(yùn)行代碼不需要任何的軟件支持，在NAND器件上進(jìn)行同樣操作時(shí)，通常需要驅(qū)動(dòng)程序，也就是內(nèi)存技術(shù)驅(qū)動(dòng)程序(MTD)，NAND和NOR器件在進(jìn)行寫入和擦除操作時(shí)都需要MTD。

使用NOR器件時(shí)所需要的MTD要相對(duì)少一些，許多廠商都提供用于NOR器件的更高級(jí)軟件，這其中包括M-System的TrueFFS驅(qū)動(dòng)，該驅(qū)動(dòng)被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等廠商所采用。

其他作用

驅(qū)動(dòng)還用于對(duì)DiskOnChip產(chǎn)品進(jìn)行仿真和NAND閃存的管理，包括糾錯(cuò)、壞塊處理和損耗平衡。

從應(yīng)用形態(tài)上看，Nand Flash的具體產(chǎn)品包括USB（U盤）、閃存卡、SSD（固態(tài)硬盤），以及嵌入式存儲(chǔ)（eMMC、eMCP、UFS）等。USB屬于常見(jiàn)的移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備，閃存卡則用于常見(jiàn)電子設(shè)備的外設(shè)存儲(chǔ)，如相機(jī)、行車記錄儀、玩具等。

SSD即常見(jiàn)的固態(tài)硬盤，一般應(yīng)用于個(gè)人計(jì)算機(jī)、服務(wù)器等領(lǐng)域。SSD作為新興的大容量存儲(chǔ)設(shè)備，具有磁盤（傳統(tǒng)HDD硬盤）所不具備的優(yōu)點(diǎn)，前些年由于SSD高昂的價(jià)格，只攻占了磁盤的少部分領(lǐng)域。由于近年SSD價(jià)格下降，以及數(shù)據(jù)中心的迅速擴(kuò)張，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的需求也在不斷上升，因此由SSD驅(qū)動(dòng)的Nand Flash的需求增速也較為迅速。

嵌入式存儲(chǔ)是Nand Flash應(yīng)用的另一大領(lǐng)域。其特征是將Nand Flash存儲(chǔ)芯片與控制芯片封裝在一起，控制芯片采用特定的通訊協(xié)議，可提升存儲(chǔ)數(shù)據(jù)通訊的速度與穩(wěn)定性。

嵌入式Nand Flash存儲(chǔ)廣泛應(yīng)用于手機(jī)、平板電腦、游戲機(jī)、車載電子等需求高容量存儲(chǔ)的新興領(lǐng)域，該手機(jī)主板采用的是eMMC。與計(jì)算機(jī)相同，手機(jī)同樣需要處理器、DRAM和Nand Flash，區(qū)別在于其產(chǎn)品的最終形態(tài)不同，計(jì)算機(jī)內(nèi)部的形態(tài)為CPU+內(nèi)存條+硬盤，而手機(jī)則采用eMMC或eMCP兩種形式：“處理器+eMCP”或“集成了LPDDR的處理器+eMMC”。

嵌入式存儲(chǔ)是Nor Flash的主要應(yīng)用領(lǐng)域，基于其讀寫速度快、可靠性高、成本高、可芯片內(nèi)執(zhí)行程序的特點(diǎn)，多用來(lái)存儲(chǔ)少量代碼、程序、操作系統(tǒng)等重要信息。

近幾年，Nor Flash市場(chǎng)飛速增長(zhǎng)，該增速主要得益于汽車電子和物聯(lián)網(wǎng)、5G和智能手機(jī)及其周邊（如TWS耳機(jī)和可穿戴式設(shè)備）等需求的推動(dòng)。

隨著智能產(chǎn)品需要實(shí)現(xiàn)的功能越來(lái)越多，為了存儲(chǔ)更多固件和代碼程序，則選擇通過(guò)外擴(kuò)一顆甚至更多的Nor Flash來(lái)實(shí)現(xiàn)。

應(yīng)用場(chǎng)景有：

（1）智能手機(jī)及周邊設(shè)備：OLED屏是有機(jī)屏幕，它內(nèi)部需要一個(gè)補(bǔ)償算法，該算法存儲(chǔ)在Flash里面；另外還有TDDI屏以及屏下指紋的模組，它們都需要一個(gè)Flash來(lái)存儲(chǔ)驅(qū)動(dòng)和算法。

（2）物聯(lián)網(wǎng)：伴隨著5G基站的高密度布局，萬(wàn)物互聯(lián)時(shí)代的數(shù)據(jù)流源源不斷，人與人之間、人與設(shè)備之間、人與云端服務(wù)器之間、設(shè)備與設(shè)備之間的各種數(shù)據(jù)交互都會(huì)產(chǎn)生海量的IoT節(jié)點(diǎn)，且這些節(jié)點(diǎn)對(duì)應(yīng)的設(shè)備都會(huì)用到Nor Flash。比如，當(dāng)前最流行的TWS耳機(jī)需要內(nèi)置兩顆Nor Flash。

（3）車載：小到車載攝像頭，大到高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS），車用子系統(tǒng)由于程序代碼量較大則會(huì)采用外部Nor Flash芯片，汽車儀表盤是通過(guò)Nor Flash來(lái)實(shí)現(xiàn)快速啟動(dòng)的。

（4）工業(yè)領(lǐng)域：例如新標(biāo)準(zhǔn)智能電表為延長(zhǎng)數(shù)據(jù)量存儲(chǔ)期限，使用Nor Flash替代鐵電存儲(chǔ)。

（5）5G、通訊設(shè)備：5G基站、微基站催生出了各種各樣的節(jié)點(diǎn)設(shè)備，5G 還加速推動(dòng)了工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、車聯(lián)網(wǎng)、自動(dòng)駕駛、邊緣計(jì)算的發(fā)展，這些應(yīng)用都離不開(kāi)Nor Flash。